怒江隔热条设备 绕开EUV壁垒，中国HBM走“工艺革新”的创新路径

在AI算力基础设施中怒江隔热条设备,如果说AI芯片是吞吐数据的“级工厂”,那么HBM(高带宽存储)就是备的“高速物流枢纽”。决定 “级工厂”生产率的,往往不是机器转得有多快,而是物流枢纽能不能即时送来原材料。

在摩尔定律放缓的今天,逻辑芯片的算力增长与其数据获取速度之间形成了巨大的剪刀差,计算单元常常因为等不到数据而被迫“怠工”。

HBM正是为了解决这一痛点而生,它通过精密的垂直堆叠技术,建立了一套立体化的物流体系,确保数据能以惊人的速度直达计算核心。

然而HBM这一高端竞技场,只有掌握DRAM供应能力的企业手握入场券。

HBM的本质:DRAM堆叠

HBM的核心组件是DRAM裸片。制造HBM,本质上是以致精密的先进封装将DRAM立体化以实现“存算一体”能力的释放。这决定了其制造工艺须基于DRAM特有的1T1C(一晶体管一电容)架构,需要在微观尺度上进行原子级的“雕刻”与电荷控制。

在当下存储芯片一片难求的紧缺态势下,这种工艺基因也决定了只有掌握DRAM供应端的企业才具备进行HBM制造的基础条件。另一种存储芯片NAND厂商擅长的是芯片堆叠,与DRAM所需的微观精密制造能力截然不同,切入HBM的难度大。

因此,在全球范围内,HBM的入场券牢牢掌握在少数拥有DRAM核心设计与制造能力的IDM(垂直整制造)巨头手中。

新技术:探索无EUV下的新可能

随着DRAM制程微缩,三星、美光、海力士等国际巨头采用EUV光刻机来推进先进制程。但是由于美国管制原因,中国企业无法EUV光刻机,也为进军HBM构成客观挑战。然而新技术路径提供了无EUV下制造下先进DRAM与HBM的新可能。

SAQP(自对准四重曝光)这项技术通过多次曝光和刻蚀,利用现有的DUV设备实现越物理限的微缩精度。虽然这增加了工艺步骤的复杂度和成本,但它从物理上验证了“无EUV制造先进DRAM”的可行。

这种“以工艺换制程”的工程能力,有望使中国企业在限施压下,探索HBM新的技术底座。

HBM自主权:产业的然选择

随着国际AI算力竞争的白热化,HBM这一核心技术才是真正考验产业未来高度的关键。无论从算力基建还是从AI科技发展的角度,掌握HBM自主权都是国内产业的唯一选择权,而DRAM企业是唯一可能突破HBM赛道的企业。

目前,国内唯一实现DRAM大规模量产的长鑫已进入IPO阶段,预计随着未来招股书的披露,有望更清晰地看到在国产化上的真实进展。

尽管当前面临着无EUV光刻机等客观挑战,但SAQP等创新工艺的加持下,国产厂商有望走出新路径,以跨越设备封锁鸿沟,进军先进产品域。

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绕开EUV壁垒，中国HBM走“工艺革新”的创新路径网络2025-12-20 13:39

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